ASML prépare déjà l’étape qui pourrait succéder à ses machines de lithographie EUV High NA. Des ingénieurs du groupe néerlandais et de son partenaire optique Carl Zeiss décrivent une technologie dite Hyper NA, susceptible d’être disponible dans une dizaine d’années. ASML en a commencé le développement, sans s’engager à ce stade sur une production commerciale.
L’objectif est de graver des structures atteignant 5 nanomètres, soit plus d’un tiers de moins que ce que permettent les équipements High NA actuels. Cette réduction compte car la miniaturisation reste un levier central pour améliorer la vitesse et la consommation énergétique des puces, malgré les progrès réalisés grâce aux architectures en trois dimensions.
Le projet s’appuie en partie sur des briques existantes. Zeiss indique pouvoir déjà produire des miroirs suffisamment précis, tandis que la source lumineuse actuelle d’ASML pourrait être réutilisée. La future machine ne serait pas beaucoup plus grande que les outils High NA, eux-mêmes comparables à un bus à deux étages. Des défis techniques subsistent néanmoins, et le calendrier très long rend toute projection financière prématurée.
Le déploiement du High NA n’en est lui-même qu’à ses débuts. Intel a commencé à utiliser cette technologie en production. Samsung et SK Hynix prévoient de suivre en 2028, puis TSMC en 2030. L’Hyper NA se situe donc au-delà d’un cycle d’investissement qui doit encore prouver son adoption industrielle et sa rentabilité.
Pour ASML, cette feuille de route contribue à préserver son avance dans les équipements EUV, dont elle détient aujourd’hui le monopole. Pour ses clients, elle ouvre une voie de miniaturisation supplémentaire sans rupture complète avec l’écosystème actuel. Les investisseurs doivent toutefois distinguer la valeur stratégique du programme de sa contribution économique : celle-ci dépendra de la faisabilité, des coûts de développement, des commandes et du rythme d’adoption des fabricants de puces.
