Les principaux fabricants mondiaux de mémoires ont été sanctionnés après l’annonce de progrès technologiques du chinois ChangXin Memory Technologies. Samsung Electronics et SK Hynix ont perdu respectivement 4,4 % et 4,5 % à Séoul, tandis que Micron reculait d’environ 4 % à Wall Street.
CXMT travaille sur une nouvelle architecture DRAM dite « 4F² », également explorée par Samsung et SK Hynix. Elle réduirait d’environ un tiers la surface occupée par chaque cellule par rapport à l’architecture actuelle 6F². À surface identique, la densité de stockage pourrait ainsi augmenter de 30 % à 50 %. Le groupe chinois s’appuie notamment sur des transistors verticaux destinés à limiter les pertes électriques.
L’entreprise prévoit de lancer avant la fin de l’année des modules DDR5 RDIMM pour serveurs. Cette perspective intervient dans un marché de la mémoire porté par les besoins des centres de données d’intelligence artificielle et par une forte remontée des prix. Si CXMT parvient à industrialiser ses avancées, l’arrivée de capacités chinoises compétitives pourrait freiner le cycle de hausse des prix et peser sur les marges des trois leaders.
La progression commerciale est déjà visible. Selon TrendForce, la part de CXMT dans le marché mondial de la DRAM est passée de 7,6 % au premier trimestre à 9,5 % au deuxième trimestre. Cette hausse justifie l’attention du marché, sans prouver encore que l’écart technologique est comblé.
La portée immédiate de l’annonce reste incertaine. Les premiers produits pourraient n’intégrer qu’une partie de l’architecture, et CXMT doit démontrer sa capacité à produire en volume avec le niveau de fiabilité exigé par les serveurs. Samsung a lui aussi présenté un prototype 4F², sans calendrier ferme d’industrialisation. Pour les investisseurs, l’enjeu est donc moins l’annonce seule que le rythme réel de qualification et de montée en capacité.
